TOP > 实例・实绩 > 外延生长设备

实例・实绩

外延生长设备

最适合于高旋转的MOCVD设备

照明用的新光源LED,是把电力能源转换成光源的半导体。具有寿命长,节能,耐久性高,高亮度等特征。在大型屏幕显示器,液晶背光源,汽车车灯,照明等广泛的领域得到应用。目前在急速的普及和发展。
制造LED,是在蓝晶基板上将GaAs,GaP,GaN等薄膜生成的外延片不可缺少的。
GaAs、GaP、GaN主要是以MOCVD镀膜为主。
高旋转,高真空,氯化物,有机金属等活性气体(惰性)环境对应的磁流体密封,是各种方式的生成延长设备的最佳选择。

高旋转,高真空,氯化物,有机金属等活性气体(惰性)环境对应的磁流体密封,是各种方式的生成延长设备的最佳选择。

延长生成的详细内容,请看这里。

最适合延长生成设备的磁流体密封

空心轴规格的磁流体密封,可以通过高频线圈的电极,最适合生成设备的使用。
可以从标准构造的一般型号F1T-B系列,真空侧不配置轴承的悬臂式F1T-C系列中来选择。

F1T-B F1T-C

另外,还有从旋转轴中复数的气体,可以同时导入气体的[导入型磁流体密封]等特殊规格型号磁流体密封。
首先,请把使用条件告知我们。向您推荐最适合的磁流体密封。

什么是外延生成

这是在单晶基板上把均匀的单晶晶体取向薄膜外延生成的方法。
作为一个典型的气相外延法,主要有金属有机化学气相沉积法(MOCVD),分子束外延法(MBE),氢化物汽相外延法(HVPE)。

金属有机化学气相沉积法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)
从有机金属化合物蒸气中把结晶生成的方法。 (也被称为MOVPE)
构成LED的金属上加入甲基(- CH3的)时,在常温下可以生成有高蒸气压的液体或固体的有机金属材料。把这种有机金属材料蒸汽和氢化物气体在加热的基板上喷涂,经过热分解后把结晶半导体生成薄膜。

分子束外延法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)
物质在超高真空中经过加热使其蒸发,把蒸发分子的飞散方向集中在一起(分子束)照射到加热的基板上,生成结晶的方法。

氢化物汽相外延法(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)
在高温气态氯化物气体中生成晶体的方法。构成LED的金属材料的氯化物气体和非金属材料的氢化物气体在基板上发生反应,生成半导体晶体薄膜。

其他实例

卷对卷成膜设备 / 真空机器人 / CVD设备 / 溅射设备 / 离子注入设备 / 单晶制造设备 / 真空吸附 / 真空炉/加压炉 / 蚀刻设备 / X射线发生器 / 搅拌装置 / 气体导入机 / 电弧放电

返回页顶